Transistor IRLB8314 IRLB8314PBF, HEXFET® I&R Infineon (2 Unidades)

4,90 Impuestos incluidos

5 disponibles

Código: 028IRLB8314 Categoría:

Descripción

Fabricante INFINEON TECHNOLOGIES
Tipo de transistor N-MOSFET
Tecnología HEXFET®
Polarización unipolar
Tensión drenaje-fuente 30V
Corriente del drenaje 120A
Corriente del drenaje en impulso 664A
Potencia disipada 125W
Carcasa TO220AB
Tensión puerta-fuente ±20V
Resistencia en estado de transferencia 2,4miliOhmios
Montaje THT
Clase de canal enriquecido
Peso 1,96gr
Denominación de fabricante: IRLB8314PBF

Application.:
– Optimized for UPS/Inverter Applications
– Low Voltage Power Tools
Benefits.:
– Best in Class Performance for UPS/Inverter Applications
– Very Low RDS(on) at 4.5V VGS
– Ultra-Low Gate Impedance
– Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
– Lead-Free, RoHS Compliant

Información adicional

Cantidad de unidades

Marca

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