TRANSISTOR MOS-N-FET TO-252/DPAK 55V/60A/110W 13,5 miliohmios

3,50 Impuestos incluidos

50 disponibles

Código: 028IRLR2905Z Categoría:

Descripción

Fabricante    Infineon (IRF)
Tipo de transistor    N-MOSFET
Tecnología    HEXFET®
Polarización    unipolar
Tensión drenaje-fuente    55V
Corriente del drenaje    60A
Potencia    110W
Carcasa    DPAK
Tensión puerta-fuente    ±16V
Resistencia en estado de transferencia    13.5mO
Montaje    SMD
Carga de puerta    23nC
Propiedades de elementos semiconductores    logic level


Información adicional

Marca

Producto no nacional

Artículo modificado

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